삼성전자, 세계 첫 3나노 반도체 양산..."파운드리 새지평"
삼성전자, 세계 첫 3나노 반도체 양산..."파운드리 새지평"
  • 윤석현 기자
  • 승인 2022.07.25 11:55
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이창양 장관 “반도체 초강대국 달성 위해 전폭 지원

 

3나노 파운드리 양산에 참여한 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 주역들./삼성전자 제공

[서울이코노미뉴스 윤석현 기자] 삼성전자가 25일 세계 최초로 3나노미터(1㎚=10억분의 1m) 공정을 통한 반도체 양산에 성공했다. 3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 중에서 가장 앞선 기술이다.

삼성전자는 이 공정에서 파운드리 업계 1위 기업인 대만 TSMC보다 기술 경쟁력에서 앞서고 있음을 입증한 것이라고 설명했다.  

정부는 이번 3나노 반도체 양산 성공은 경제안보 차원에서도 의미가 크다고 평가하고 민간투자와 인력양성, 기술개발, 소재부품장비 생태계 구축에 전폭적으로 지원하겠다고 밝혔다. 또 앞으로 메모리반도체 생산기지이자, 첨단 시스템반도체 생산기지로서 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 대한민국 위상이 한층 높아질 것으로 기대했다.

삼성전자는 25일 이창양 산업부 장관과 경계현 삼성전자 사장 등이 참석한 가운데 삼성전자 화성캠퍼스 V1라인에서 3나노 반도체 파운드리 양산 출하식을 했다고 밝혔다.

3나노 공정 양산은 삼성전자가 2004년 파운드리 사업 진출 이후 18년 만에 거둔 성과다.

특히 삼성전자는 이번 3나노 공정에서 차세대 트랜지스터 구조인 ‘GAA(Gate-All-Around)’ 신기술을 세계 최초로 적용했다는 점에서 주목받고 있다. GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있어 기존 핀펫(Fin FET) 기술에서 한 단계 진보된 차세대 반도체 핵심 기술로 전력과 면적을 각각 50%, 35% 절감하고 성능은 30% 향상할 수 있다.

한편 정부는 시스템반도체 시장점유율을 현 3% 수준에서 오는 2030년 10%로 높이고 소재·부품·장비(소부장) 자립화율도 현재 30% 수준에서 50%로 높이는 목표를 수립했다.

정부는 이번 삼성전자의 3나노 반도체 양산 성과가 국내 소재부품장비 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재·장비·설계자산(IP) 등을 공동개발했다는 점에서 국내 반도체 산업계가 이룬 성과로 평가했다. 이에 반도체 초강대국 달성을 위한 민간투자와 인력양성, 기술개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 지원을 나서기로 했다.

이 장관은 “앞으로도 3나노 공정이 높은 수율을 확보해 안정적으로 안착하기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라”면서 “지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 강조했다.


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