[서울이코노미뉴스 윤석현 기자] SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드 샘플을 공개했다.

300단 이상 낸드 개발 진행을 공식화한 것은 세계 최초이다.

SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·FMS) 2023'에서 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발경과를 발표하고 개발단계의 샘플을 전시했다.

플래시 메모리 서밋은 매년 샌타클래라에서 열리는 낸드업계 세계 최대 규모의 콘퍼런스다.

낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 셀을 수직으로 쌓아올려 데이터 용량을 늘리는 적층기술이 경쟁력의 핵심요소로 꼽힌다.

메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 

SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 오는 2025년 상반기부터 양산한다는 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 "양산중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 강조했다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 8월 플래시 메모리 서밋 행사에서 업계 최고층인 238단 낸드 4D 신제품을 공개해 주목을 받았다.

마이크론이 지난해 7월 232단 낸드 출하를 시작한 데 이어 삼성전자가 같은해 11월 236단으로 추정되는 1Tb 8세대 V낸드 양산을 시작하는 등 반도체 업체에서는 그동안 기술장벽의 한계로 여겨진 '200단'을 넘어선 낸드 단수 쌓기 경쟁이 치열하다.

이번에 SK하이닉스가 공개한 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb)와 비교해 생산성이 59% 높아졌다.

데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 쌓아 한개의 칩으로 더 큰 용량을 구현하게 됨으로써, 웨이퍼 한장에서 생산할 수 있는 전체용량이 늘었기 때문이다.

낸드는 한개의 셀에 몇개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(1개), MLC(2개), TLC(3개), QLC(4개), PLC(5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.

챗GPT가 촉발한 생성형 인공지능(AI) 시장의 성장으로 최근 메모리 시장에서는 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능·고용량 메모리 수요가 급격히 증가하고 있다.

SK하이닉스는 이번 행사에서 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(eSSD)와 UFS 4.0도 함께 소개했다.

회사측은 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보한 만큼, 고성능을 강조하는 고객의 요구를 충족시킬 것으로 기대했다.

아울러 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수했다고 밝히고, 업계 기술트렌드를 선도하겠다는 의지도 재확인했다.

최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 이날 기조연설에서 "4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획"이라며  "AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다"고 말했다.